什么是负电子亲和势光电阴极(负电子亲和势光电阴极的能带结构如何?它有哪些特点)

什么是负电子亲和势光电阴极(负电子亲和势光电阴极的能带结构是怎样的？它有什么特点)，不是所有人都知道的。所以小华说说什么是负电子亲和势光电阴极。

1.表面势垒低于导带底部的光电阴极(如GaAs:Cs-O)。高于导带底部的表面势垒称为正电子亲和势光电阴极(如s b-K-Na-CS)；表面势垒平坦到导带底部的零电子亲和势光电阴极称为零电子亲和势光电阴极。

2.介绍:表面势垒低于导带底部的光电阴极(如GaAs:Cs-O)。高于导带底部的表面势垒称为正电子亲和势光电阴极(如s b-K-Na-CS)；表面势垒平坦到导带底部的零电子亲和势光电阴极称为零电子亲和势光电阴极。

3.1963年，美国人R.E. Simmons根据半导体能带理论提出了负电子亲和势的概念。1965年，荷兰人J.J. Schiller和J. Van Ra制成了GaAs:Gs光电阴极。其他的III-V族化合物光电阴极也有制作，如InP，ga Xin 1-Xas(0x yin 1-ypzas 1-z(0yz2o)，与P型III-V族化合物晶体(如掺Zn的GaSb)接触形成异质结。该模型表明，在表面吸附层中存在界面势垒(约1.2电子伏)。根据偶极子模型，Cs-O层是Cs偶极子和Cs2O偶极子串联的薄双偶极子，厚度约为8埃。这与单原子尺度的实验是一致的。

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